-
1 V-groove MOS transistor
Engineering: VMOSУниверсальный русско-английский словарь > V-groove MOS transistor
-
2 V-groove vertical-geometry power MOS transistor
Engineering: VVMOSTУниверсальный русско-английский словарь > V-groove vertical-geometry power MOS transistor
-
3 МОП-транзистор с V-образной канавкой
Engineering: V- MOS transistor, V-groove MOS transistorУниверсальный русско-английский словарь > МОП-транзистор с V-образной канавкой
-
4 МОП-транзистор с v- образной канавкой
Engineering: V-groove MOS transistorУниверсальный русско-английский словарь > МОП-транзистор с v- образной канавкой
-
5 мошный МОП-транзистор с вертикальной геометрией и V-образной канавкой
Engineering: V-groove vertical-geometry power MOS transistorУниверсальный русско-английский словарь > мошный МОП-транзистор с вертикальной геометрией и V-образной канавкой
См. также в других словарях:
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… … Deutsch Wikipedia
GeSbTe — GeSbTe, or Germanium Antimony Tellurium, also known as GST, is a phase change material from the group of chalcogenide glasses, used in rewritable optical discs and phase change memory applications. Its recrystallization time is down to 20… … Wikipedia
VMOS — (pronEng|ˈviːmɒs), is an acronym for Vertical Metal Oxide Semiconductor (Transistor). Vmos is also used to describe the V groove shape vertically cut into the substrate material metal oxide semiconductor transistor.The V shape of the MOSFET s… … Wikipedia